Nature.com نى زىيارەت قىلغىنىڭىزغا رەھمەت.سىز چەكلىك CSS قوللىشى بىلەن توركۆرگۈ نۇسخىسىنى ئىشلىتىۋاتىسىز.ئەڭ ياخشى تەجرىبە ئۈچۈن يېڭىلانغان تور كۆرگۈچنى ئىشلىتىشىڭىزنى تەۋسىيە قىلىمىز (ياكى Internet Explorer دىكى ماسلىشىشچان ھالەتنى چەكلەڭ).ئۇنىڭدىن باشقا ، داۋاملىق قوللاشقا كاپالەتلىك قىلىش ئۈچۈن ، ئۇسلۇب ۋە JavaScript بولمىغان تور بېكەتنى كۆرسىتىمىز.
بىرلا ۋاقىتتا ئۈچ تام تەسۋىر كارۇسېلنى كۆرسىتىدۇ.ئالدىنقى ۋە كېيىنكى كۇنۇپكىلارنى ئىشلىتىپ بىر قېتىمدا ئۈچ تام تەسۋىردىن ئۆتۈڭ ياكى ئاخىرىدا سىيرىلما كۇنۇپكىلارنى ئىشلىتىپ بىر قېتىمدا ئۈچ تام تەسۋىردىن ئۆتۈڭ.
بىۋاسىتە لازېر ئارىلىشىش (DLIP) لازېر نۇرلۇق دەۋرىيلىك يەر يۈزى قۇرۇلمىسى (LIPSS) بىلەن بىرلەشتۈرۈلۈپ ، ھەر خىل ماتېرىياللارنىڭ ئىقتىدار يۈزى ھاسىل قىلالايدۇ.ئادەتتە تېخىمۇ يۇقىرى بولغان لازېرلىق توك ئىشلىتىش ئارقىلىق بۇ جەرياننىڭ ئۆتكۈزۈشچانلىقى ئاشىدۇ.قانداقلا بولمىسۇن ، بۇ ئىسسىقلىقنىڭ يىغىلىشىنى كەلتۈرۈپ چىقىرىدۇ ، بۇ پەيدا بولغان يەر يۈزى ئەندىزىسىنىڭ يىرىكلىكى ۋە شەكلىگە تەسىر كۆرسىتىدۇ.شۇڭلاشقا ، يەر ئاستى تېمپېراتۇرىسىنىڭ توقۇلما ئېلېمېنتلارنىڭ مورفولوگىيىسىگە بولغان تەسىرىنى تەپسىلىي تەتقىق قىلىش كېرەك.بۇ تەتقىقاتتا ، پولات يۈزى 532 nm بولغان ps-DLIP بىلەن سىزىقلىق لايىھەلەنگەن.يەر ئاستى تېمپېراتۇرىسىنىڭ پەيدا بولغان يەر تۈزۈلۈشىگە بولغان تەسىرىنى تەكشۈرۈش ئۈچۈن ، ئىسسىنىش تاختىسى ئىشلىتىپ تېمپېراتۇرىنى كونترول قىلدى.250 \ (^ {\ circ} \) С غا قىزىتىش شەكىللەنگەن قۇرۇلمىلارنىڭ چوڭقۇرلۇقىنىڭ 2.33 دىن 1.06 µm غىچە كۆرۈنەرلىك تۆۋەنلىشىنى كەلتۈرۈپ چىقاردى.تۆۋەنلەش يەر ئاستى دانچىلىرىنىڭ يۆنىلىشى ۋە لازېر نۇرلۇق يەر ئوكسىدلىنىشنىڭ ئوخشىماسلىقىغا ئاساسەن ئوخشىمىغان تىپتىكى LIPSS نىڭ پەيدا بولۇشى بىلەن مۇناسىۋەتلىك.بۇ تەتقىقات يەر ئاستى تېمپېراتۇرىسىنىڭ كۈچلۈك ئۈنۈمىنى كۆرسىتىپ بېرىدۇ ، يۇقىرى دەرىجىدىكى لازېر ئېنېرگىيىسىدە يەر يۈزىنى بىر تەرەپ قىلغاندا ئىسسىقلىق يىغىلىش ئۈنۈمى پەيدا قىلىدۇ.
ئۇلترا ئاۋاز دولقۇنى لازېر نۇرىنى ئاساس قىلغان يەر يۈزىنى بىر تەرەپ قىلىش ئۇسۇللىرى ئەڭ مۇھىم ماتېرىياللارنىڭ يەر يۈزى خۇسۇسىيىتىنى ياخشىلاش ئىقتىدارى سەۋەبىدىن ئىلىم-پەن ۋە سانائەتنىڭ ئالدىنقى قاتارىدا تۇرىدۇ.بولۇپمۇ لازېر نۇرلۇق خاسلاشتۇرۇلغان يەر يۈزى ئىقتىدارى سانائەت ساھەلىرى ۋە قوللىنىشچان سىنارىيەلەرنىڭ ئەڭ ئىلغارلىقى.مەسىلەن ، ۋېركىللو قاتارلىقلار.مۇزغا قارشى تۇرۇش خۇسۇسىيىتى لازېر كەلتۈرۈپ چىقىرىدىغان دەرىجىدىن تاشقىرى سۇيۇقلۇقنى ئاساس قىلغان ئالەم قاتنىشى قوللىنىشچان تىتان قېتىشمىسىدا كۆرسىتىلدى.Epperlein قاتارلىقلار دوكلات قىلىپ مۇنداق دېدى: لازېر يۈزى قۇرۇلمىسى ئارقىلىق ئىشلەپچىقىرىلغان نانولاشتۇرۇلغان ئىقتىدارلار بىئولوگىيىلىك فىلملارنىڭ ئۆسۈشىگە ياكى پولات ئەۋرىشكىسىنىڭ چەكلىنىشىگە تەسىر كۆرسىتىدۇ.ئۇنىڭدىن باشقا ، گۇئەي قاتارلىقلار.ئورگانىك قۇياش ھۈجەيرىسىنىڭ ئوپتىكىلىق خۇسۇسىيىتىنىمۇ ئۆستۈردى.6 شۇڭا ، لازېر قۇرۇلمىسى يەر يۈزى ماتېرىياللىرىنى كونترول قىلىش ئارقىلىق يۇقىرى ئېنىقلىقتىكى قۇرۇلما ئېلېمېنتلىرىنى ئىشلەپچىقىرىشقا يول قويىدۇ.
بۇ خىل قەرەللىك يەر يۈزى قۇرۇلمىسىنى ئىشلەپچىقىرىشقا ماس كېلىدىغان لازېرلىق قۇرۇلما تېخنىكىسى بىۋاسىتە لازېرلىق توسۇش شەكلى (DLIP).DLIP ئىككى ياكى ئۇنىڭدىن ئارتۇق لازېر نۇرىنىڭ يەر يۈزىگە يېقىن ئارىلىشىشىنى ئاساس قىلىپ ، مىكروومېتىر ۋە نانومېتىر دائىرىسىدىكى ئالاھىدىلىككە ئىگە نەقىشلىك يۈزلەرنى ھاسىل قىلىدۇ.لازېر نۇرىنىڭ سانى ۋە قۇتۇپلىشىشىغا ئاساسەن ، DLIP كۆپ خىل يەر شەكلى يەر يۈزى قۇرۇلمىسىنى لايىھىلەپ ۋە قۇرالايدۇ.ئىستىقباللىق ئۇسۇل بولسا DLIP قۇرۇلمىسىنى لازېر نۇرلۇق دەۋرىيلىك يەر يۈزى قۇرۇلمىسى (LIPSS) بىلەن بىرلەشتۈرۈپ ، مۇرەككەپ قۇرۇلما قاتلاملىرى بىلەن 8،9،10،11،12،12 يەر يۈزى يەر تۈزۈلۈشىنى ھاسىل قىلىش.تەبىئەتتە ، بۇ قاتلاملار يەككە ئۆلچەملىك مودېللارغا قارىغاندا تېخىمۇ ياخشى ئىقتىدار بىلەن تەمىنلەيدىغانلىقى كۆرسىتىلدى.
LIPSS ئىقتىدارى رادىئاتسىيەنىڭ كۈچلۈكلۈك دەرىجىسىنىڭ تارقىلىشىنىڭ يەر يۈزىگە يېقىنلىشىشىنى ئاساس قىلغان ھالدا ئۆزىنى كۈچەيتىش جەريانى (ئاكتىپ ئىنكاس).بۇ نانونىڭ كۆپىيىشىدىن بولغان ، چۈنكى قوللىنىلغان لازېر تومۇر سانى 14 ، 15 ، 16. تارقاق دولقۇن زاپچاسلىرى ياكى يەر يۈزى پىلازمىسى.LIPSS نىڭ شەكىللىنىشىمۇ تومۇرنىڭ ۋاقتى 22،23 نىڭ تەسىرىگە ئۇچرايدۇ.بولۇپمۇ يۇقىرى لازېرلىق قۇۋۋەت يۇقىرى ئىشلەپچىقىرىش يۈزىنى بىر تەرەپ قىلىشتا كەم بولسا بولمايدۇ.بۇ ئادەتتە يۇقىرى تەكرارلىنىش نىسبىتىنى ئىشلىتىشنى تەلەپ قىلىدۇ ، يەنى MHz دائىرىسىدە.نەتىجىدە ، لازېر تومۇرنىڭ ۋاقىت ئارىلىقى قىسقا بولۇپ ، 23 ، 24 ، 25 ، 26. ئىسسىقلىق يىغىلىش تەسىرىنى كەلتۈرۈپ چىقىرىدۇ.
ئالدىنقى ئەسەردە ، رۇدېنكو قاتارلىقلار.ۋە Tzibidis قاتارلىقلار.تۇتاشتۇرۇش قۇرۇلمىسىنىڭ شەكىللىنىش مېخانىزمى مۇزاكىرە قىلىنغان بولۇپ ، ئىسسىقلىقنىڭ يىغىلىشى 19،27 گە ئەگىشىپ تېخىمۇ مۇھىم بولۇشى كېرەك.ئۇنىڭدىن باشقا ، باۋئېر قاتارلىقلار.مىكرو مىقدارلىق قۇرۇلما بىلەن ئىسسىقلىق توپلاشنىڭ ھالقىلىق مىقدارىنى باغلاڭ.گەرچە بۇ ئىسسىقلىق كەلتۈرۈپ چىقىرىدىغان قۇرۇلما شەكىللىنىش جەريانىغا قارىماي ، ئادەتتە تەكرارلىنىش نىسبىتىنى ئاشۇرۇش ئارقىلىقلا بۇ جەرياننىڭ ئۈنۈمدارلىقىنى يۇقىرى كۆتۈرگىلى بولىدۇ دەپ قارىلىدۇ.گەرچە بۇ ئۆز نۆۋىتىدە ئىسسىقلىق ساقلاش مىقدارى كۆرۈنەرلىك ئاشمىسا ، ئەمەلگە ئاشۇرغىلى بولمايدۇ.شۇڭلاشقا ، كۆپ قاتلاملىق توپولوگىيە بىلەن تەمىنلەيدىغان جەريان ئىستراتېگىيىسى جەريان ھەرىكەتلىرى ۋە قۇرۇلمىنىڭ شەكىللىنىشىنى ئۆزگەرتمەي تۇرۇپ ، تېخىمۇ كۆپ تەكرارلىنىش نىسبىتىگە يۆتكىگىلى بولمايدۇ.بۇ نۇقتىدىن ئېيتقاندا ، يەر ئاستى تېمپېراتۇرىسىنىڭ DLIP شەكىللىنىش جەريانىغا قانداق تەسىر كۆرسىتىدىغانلىقىنى تەكشۈرۈش ئىنتايىن مۇھىم ، بولۇپمۇ LIPSS نىڭ بىرلا ۋاقىتتا شەكىللىنىشى سەۋەبىدىن قاتلاملىق يۈز ئەندىزىسىنى ياسىغاندا.
بۇ تەتقىقاتنىڭ مەقسىتى ps تومۇردىن پايدىلىنىپ داتلاشماس پولاتنى DLIP پىششىقلاپ ئىشلەش جەريانىدا يەر ئاستى تېمپېراتۇرىسىنىڭ ھاسىل بولغان يەر شەكلىگە بولغان تەسىرىنى باھالاش ئىدى.لازېر پىششىقلاپ ئىشلەش جەريانىدا ، ئەۋرىشكە ئاستى قىسمىنىڭ تېمپېراتۇرىسى ئىسسىنىش تاختىسى ئارقىلىق 250 \ (^ \ circ \) C غا يەتكۈزۈلدى.ھاسىل بولغان يەر يۈزى قۇرۇلمىسى ماسلاشتۇرۇلغان مىكروسكوپ ، سىكانېرلاش ئېلېكترونلۇق مىكروسكوپ ۋە ئېنېرگىيە تارقىتىدىغان X نۇرى سپېكتروسكوپى ئارقىلىق ئالاھىدىلىككە ئىگە.
بىرىنچى قاتاردىكى سىناقلاردا ، پولات چىۋىق ئىككى نۇرلۇق DLIP سەپلىمىسى ئارقىلىق بىر تەرەپ قىلىندى ، بوشلۇقنىڭ ئۇزۇنلۇقى 4.5 µm ، يەر ئاستى تېمپېراتۇرىسى \ (T _ {\ mathrm {s}} \) 21 \ (^ {\ circ) } \) C ، تۆۋەندە «قىزىمىغان» يەر يۈزى دېيىلىدۇ.بۇ خىل ئەھۋالدا تومۇرنىڭ قاپلىنىشى \ (o _ {\ mathrm {p}} \) ئىككى تومۇرنىڭ ئارىلىقى داغ چوڭلۇقىنىڭ رولى.ئۇ% 99.0 (ھەر ئورۇندىكى 100 تومۇر) دىن% 99.67 (ھەر بىر ئورۇنغا 300 تومۇر) ئوخشىمايدۇ.بارلىق ئەھۋاللاردا چوققا ئېنېرگىيەنىڭ زىچلىقى \ (\ Phi _ \ mathrm {p} \) = 0.5 J / cm \ (^ 2 \) (گاۋسىيىلىكنىڭ ئارىلىشىشىغا باراۋەر) ۋە تەكرارلىنىش چاستوتىسى f = 200 kHz ئىشلىتىلگەن.لازېر نۇرىنىڭ قۇتۇپلىشىش يۆنىلىشى ئورۇن جەدۋىلىنىڭ ھەرىكىتىگە پاراللېل (1a رەسىم) ، بۇ ئىككى نۇرلۇق ئارىلىشىش ئەندىزىسى ھاسىل قىلغان تۈز سىزىقلىق گېئومېتىرىيەنىڭ يۆنىلىشىگە پاراللېل.سكاننېرلاش ئېلېكترونلۇق مىكروسكوپ (SEM) ئارقىلىق ئېرىشكەن قۇرۇلمىلارنىڭ ۋەكىللىك رەسىملىرى رەسىمدە كۆرسىتىلدى.1a - c.SEM رەسىملىرىنىڭ يەر تۈزۈلۈشى جەھەتتىكى تەھلىلىنى قوللاش ئۈچۈن ، باھالانغان قۇرۇلمىلاردا فورىيېر ئۆزگەرتىش (قاراڭغۇ قىستۇرمىلاردا كۆرسىتىلگەن FFT) ئېلىپ بېرىلدى.بارلىق ئەھۋاللاردا ، پەيدا بولغان DLIP گېئومېتىرىيىسى 4.5 µm بوشلۇق بىلەن كۆرۈندى.
دېلو ئۈچۈن \ (o _ {\ mathrm {p}} \) = ئەنجۈرنىڭ قاراڭغۇ رايونىدا% 99.0.1a ، ئارىلىشىشنىڭ ئەڭ چوڭ ئورنىغا ماس كېلىدۇ ، كىچىك پاراللېل قۇرۇلمىلارنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ.ئۇلار نانو بۆلەكلىرىگە ئوخشايدىغان يەر شەكلى بىلەن قاپلانغان تېخىمۇ پارلاق بەلۋاغلار بىلەن ئالمىشىدۇ.ئۆستەڭ ئوتتۇرىسىدىكى پاراللېل قۇرۇلما لازېر نۇرىنىڭ قۇتۇپلىشىشىغا ئۇدۇل كەلگەندەك قىلىدۇ ھەمدە بىر مەزگىل \ (\ Lambda _ {\ mathrm {LSFL-I}} \) 418 \ (\ pm 65 \) nm ، ئازراق. لازېرنىڭ دولقۇن ئۇزۇنلۇقىدىن تۆۋەن \ (\ lambda \) (532 nm) تۆۋەن بوشلۇق چاستوتىسى (LSFL-I) 15،18 بولغان LIPSS دېيىشكە بولىدۇ.LSFL-I FFT دا ئاتالمىش s تىپلىق سىگنال ھاسىل قىلىدۇ ، «s» چېچىلىدۇ.شۇڭلاشقا ، سىگنال كۈچلۈك مەركىزى تىك ئېلېمېنتقا ئۇدۇل كېلىدۇ ، ئۇ ئۆز نۆۋىتىدە DLIP قۇرۇلمىسى ئارقىلىق ھاسىل بولىدۇ (\ (\ Lambda _ {\ mathrm {DLIP}} \) \ (\ تەخمىنەن \) 4.5 µm).FFT رەسىمدىكى DLIP ئەندىزىسىنىڭ تۈز سىزىقلىق قۇرۇلمىسىدىن ھاسىل بولغان سىگنال «DLIP تىپى» دەپ ئاتىلىدۇ.
DLIP ئارقىلىق ياسالغان يەر يۈزى قۇرۇلمىسىنىڭ SEM رەسىملىرى.چوققا ئېنېرگىيەنىڭ زىچلىقى \ (\ Phi _ \ mathrm {p} \) = 0.5 J / cm \ (^ 2 \) (شاۋقۇنسىز گاۋزۇ تەڭلىمىسى ئۈچۈن) ۋە تەكرارلىنىش نىسبىتى f = 200 kHz.رەسىملەردە ئەۋرىشكە تېمپېراتۇرىسى ، قۇتۇپلىشىش ۋە قاپلاش قاتارلىقلار كۆرسىتىلدى.يەرلىكلەشتۈرۈش باسقۇچىنىڭ ھەرىكىتى (a) دىكى قارا ئوق بىلەن بەلگە قويۇلغان.قارا قىستۇرما 37.25 \ (\ قېتىم \) 37.25 µm SEM رەسىمدىن ئېرىشكەن FFT نى كۆرسىتىدۇ (دولقۇن دولقۇنى بولغۇچە كۆرسىتىلىدۇ \ (\ vec {k} \ cdot (2 \ pi) ^ {-1} \) = 200 nm).جەريان پارامېتىرلىرى ھەر بىر رەسىمدە كۆرسىتىلدى.
1-رەسىمگە قارايدىغان بولساق ، \ (o _ {\ mathrm {p}} \) قاپلىنىشنىڭ ئېشىشىغا ئەگىشىپ ، سىگمود سىگنالىنىڭ FFT نىڭ x ئوقىغا تېخىمۇ مەركەزلەشكەنلىكىنى كۆرەلەيسىز.قالغان LSFL-I تېخىمۇ پاراللېل بولۇشقا مايىل.بۇنىڭدىن باشقا ، s تىپلىق سىگنالنىڭ نىسپىي كۈچلۈكلىكى تۆۋەنلەپ ، DLIP تىپىدىكى سىگنالنىڭ كۈچلۈكلۈك دەرىجىسى ئاشتى.بۇ بارغانسىرى روشەن ھالدا ئۆستەڭنىڭ ئۆسۈشى بىلەن مۇناسىۋەتلىك.شۇنداقلا ، s تىپ بىلەن مەركەز ئوتتۇرىسىدىكى x ئوق سىگنالى چوقۇم LSFL-I بىلەن ئوخشاش يۆنىلىشلىك ، ئەمما ۋاقتى ئۇزۇنراق (\ (\ Lambda _ \ mathrm {b} \) \ (\ تەخمىنەن \) 1c رەسىمدە كۆرسىتىلگەندەك 1.4 ± 0.2 µm).شۇڭلاشقا ، ئۇلارنىڭ شەكىللىنىشى ئۆستەڭنىڭ مەركىزىدىكى ئورەكلەرنىڭ ئەندىزىسى دەپ قارىلىدۇ.يېڭى ئىقتىدار ئوردېننىڭ يۇقىرى چاستوتا دائىرىسى (چوڭ دولقۇن) دا پەيدا بولىدۇ.بۇ سىگنال ئۆستەڭ ئېتىكىدىكى پاراللېل تەۋرىنىشتىن كەلگەن ، بۇ بەلكىم ۋەقەنىڭ ئارىلىشىشى ۋە يانتۇلۇقتا ئالدى نۇر ئەكس ئەتتۈرۈلگەن نۇردىن كەلگەن بولۇشى مۇمكىن.تۆۋەندە ، بۇ تەۋرىنىشلەر LSFL \ (_ \ mathrm {edge} \) ، ۋە ئۇلارنىڭ سىگناللىرى -s \ (_ {\ mathrm {p)) \) ئارقىلىق ئىپادىلىنىدۇ.
كېيىنكى سىناقتا ، ئەۋرىشكىنىڭ تېمپېراتۇرىسى ئاتالمىش «قىزىغان» يۈزىدە ° C 250 قا چىققان.قۇرۇلما ئالدىنقى بۆلەكتە تىلغا ئېلىنغان تەجرىبە بىلەن ئوخشاش بىر تەرەپ قىلىش ئىستراتېگىيىسى بويىچە ئېلىپ بېرىلدى (رەسىم 1a - 1c).SEM رەسىملىرى 1d - f رەسىمدە كۆرسىتىلگەندەك كېلىپ چىققان يەر تۈزۈلۈشىنى تەسۋىرلەيدۇ.ئەۋرىشكىنى 250 سېلسىيە گرادۇسقىچە قىزىتىش LSFL نىڭ تاشقى كۆرۈنۈشىنىڭ ئېشىشىنى كەلتۈرۈپ چىقىرىدۇ ، ئۇنىڭ يۆنىلىشى لازېر قۇتۇپىغا پاراللېل.بۇ قۇرۇلمىلارنى LSFL-II دەپ سۈپەتلەشكە بولىدۇ ھەمدە بوشلۇق ۋاقتى \ (\ Lambda _ \ mathrm {LSFL-II} \) 247 ± 35 nm.LSFL-II سىگنالى يۇقىرى چاستوتا سەۋەبىدىن FFT دا كۆرۈنمەيدۇ.\ (O _ {\ mathrm {p}} \) 99.0 دىن 99.67 \ (\% \) گە ئۆرلىگەندە (رەسىم 1d - e) ، يورۇق بەلۋاغ رايونىنىڭ كەڭلىكى ئېشىپ ، DLIP سىگىنالىنىڭ پەيدا بولۇشىنى كەلتۈرۈپ چىقاردى. يۇقىرى چاستوتىدىن كۆپ.دولقۇن (تۆۋەن چاستوتا) ۋە شۇڭا FFT نىڭ مەركىزىگە يۆتكىلىدۇ.1-رەسىمدىكى قۇرلار بەلكىم LSFL-I22,27 غا ئۇدۇل شەكىللەنگەن ئاتالمىش ئۆڭكۈرنىڭ ئالدىن بېشارىتى بولۇشى مۇمكىن.بۇنىڭدىن باشقا ، LSFL-II تېخىمۇ قىسقا ۋە تەرتىپسىز شەكىللەنگەندەك قىلىدۇ.شۇنىڭغا دىققەت قىلىڭكى ، بۇ ئەھۋالدا نانوگرافىك مورفولوگىيىسى بىلەن يورۇق بەلۋاغنىڭ ئوتتۇرىچە چوڭلۇقى كىچىكرەك بولىدۇ.ئۇنىڭدىن باشقا ، بۇ نانو بۆلەكلىرىنىڭ چوڭ-كىچىكلىكى تەقسىملەش ئىسسىنىشتىن ئاز تارقالغان (ياكى زەررىچە يىغىلىشىنى كەلتۈرۈپ چىقىرىدۇ) بولۇپ چىقتى.سۈپەت جەھەتتە بۇنى ئايرىم-ئايرىم ھالدا 1a ، d ياكى b ، e رەقەملىرىنى سېلىشتۇرۇش ئارقىلىق باھالىغىلى بولىدۇ.
قاپلاش \ (o _ {\ mathrm {p}} \) تېخىمۇ كۆپىيىپ% 99.67 كە يەتتى (رەسىم 1f) ، بارغانسىرى روشەن ئېقىن سەۋەبىدىن روشەن يەر شەكلى تەدرىجىي بارلىققا كەلدى.قانداقلا بولمىسۇن ، بۇ ئۆستەڭلەر 1-رەسىمدىكىگە قارىغاندا تەرتىپسىز ۋە چوڭقۇر ئەمەس.رەسىمنىڭ يورۇقلۇق بىلەن قاراڭغۇ رايونلىرى ئوتتۇرىسىدىكى تۆۋەن سېلىشتۇرما سۈپەتتە نامايان بولىدۇ.بۇ نەتىجىلەرنى c دىكى FFT غا سېلىشتۇرغاندا 1f رەسىمدىكى FFT بۇيرۇقنىڭ ئاجىز ۋە تارقاق سىگنالى تېخىمۇ قوللايدۇ.1b ۋە e رەسىملەرنى سېلىشتۇرۇشتا كىچىكرەك بەلۋاغمۇ قىزىتىشتا كۆرۈنەرلىك بولدى ، كېيىنچە مىكروسكوپ ئارقىلىق ئىسپاتلاندى.
ئالدىنقى تەجرىبىدىن باشقا ، لازېر نۇرىنىڭ قۇتۇپلىشىشى 90 \ (^ {\ circ} \) تەرىپىدىن ئايلانغان ، بۇ قۇتۇپلىشىش يۆنىلىشىنىڭ ئورۇن بەلگىلەش سۇپىسىغا ئۇدۇل يۆتكىلىشىنى كەلتۈرۈپ چىقارغان.ئەنجۈر ئۈستىدە.2a-c قۇرۇلما شەكىللىنىشنىڭ دەسلەپكى باسقۇچلىرىنى كۆرسىتىپ بېرىدۇ ، \ (o _ {\ mathrm {p}} \) =% 99.0% قىزىتىلمىغان (a) ، قىزىتىلغان (b) ۋە 90 \ (^ {\ circ} \) - دېلو ئايلانما قۇتۇپلىشىش بىلەن (c).قۇرۇلمىلارنىڭ نانوپوگرافىيىسىنى تەسەۋۋۇر قىلىش ئۈچۈن ، رەسىملەردە رەڭلىك كۋادراتلار قويۇلغان رايونلار كۆرسىتىلدى.2d ، چوڭايتىلغان كۆلەمدە.
DLIP ئارقىلىق ياسالغان يەر يۈزى قۇرۇلمىسىنىڭ SEM رەسىملىرى.جەريان پارامېتىرلىرى 1-رەسىمدىكىگە ئوخشاش.رەسىمدە ئەۋرىشكە تېمپېراتۇرىسى \ (T_s \) ، قۇتۇپلىشىش ۋە تومۇرنىڭ قاپلىنىشى \ (o_ \ mathrm {p} \) كۆرسىتىلدى.قارا قىستۇرما ماس ھالدا فورىينىڭ ئۆزگىرىشىنى يەنە بىر قېتىم كۆرسىتىپ بېرىدۇ.(D) - (i) دىكى رەسىملەر (a) - (c) دىكى بەلگە قويۇلغان رايونلارنىڭ چوڭايتىلىشى.
بۇ خىل ئەھۋالدىن كۆرۈۋېلىشقا بولىدۇكى ، رەسىم 2b ، c نىڭ قاراڭغۇ رايونلىرىدىكى قۇرۇلمىلار قۇتۇپلىشىش سەزگۈر ، شۇڭا LSFL-II14 ، 20 ، 29 ، 30 دەپ يېزىلغان. دىققەت قىلىشقا ئەرزىيدىغىنى ، LSFL-I نىڭ يۆنىلىشىمۇ ئايلانغان ( رەسىم 2g ، i) ، بۇنى ماس FFT دىكى s تىپلىق سىگنالنىڭ يۆنىلىشىدىن كۆرگىلى بولىدۇ.LSFL-I دەۋرىنىڭ كەڭ بەلۋاغ كەڭلىكى b دەۋرىگە سېلىشتۇرغاندا تېخىمۇ چوڭ كۆرۈنىدۇ ، ئۇنىڭ دائىرىسى تېخىمۇ كەڭ تارقالغان s تىپلىق سىگنالدا كۆرسىتىلگەندەك 2c رەسىمدىكى كىچىك دەۋرلەرگە يۆتكەلدى.شۇڭا ، ئوخشىمىغان ئىسسىقلىق تېمپېراتۇرىسىدا ئەۋرىشكەدە تۆۋەندىكى LSFL بوشلۇق دەۋرىنى كۆرگىلى بولىدۇ: \ (\ Lambda _ {\ mathrm {LSFL-I}} \) = 418 \ (\ pm 65 \) nm 21 ^ {\ ئايلانما } \) C (2a رەسىم) ، \ (\ Lambda _ {\ mathrm {LSFL-I}} \) = 445 \ (~ \ pm \) 67 nm ۋە \ قۇتۇپلىشىش ئۈچۈن}} \) = 247 ± 35 nm 250 ° C (2b رەسىم).ئەكسىچە ، p قۇتۇپلىشىش ۋە 250 \ (^ {\ circ} \) C نىڭ بوشلۇق ۋاقتى \ (\ Lambda _ {\ mathrm {LSFL-I)) \) = 390 \ (\ pm 55 \) گە تەڭ. ) nm ۋە \ (\ Lambda _ {\ mathrm {LSFL-II}} \) = 265 ± 35 nm (2c رەسىم).
دىققەت قىلىشقا ئەرزىيدىغىنى ، نەتىجىدە كۆرسىتىلىشچە ، ئەۋرىشكە تېمپېراتۇرىسىنى ئاشۇرۇش ئارقىلىقلا ، يەر يۈزى مورفولوگىيىسى ئىككى چېكىدىن ھالقىپ كېتەلەيدىكەن ، بۇنىڭ ئىچىدە (i) پەقەت LSFL-I ئېلېمېنتلىرى بار يەر يۈزى ۋە (2) LSFL-II بىلەن قاپلانغان رايون.مېتال يۈزىدە بۇ خىل ئالاھىدە تىپتىكى LIPSS نىڭ شەكىللىنىشى يەر يۈزىدىكى ئوكسىد قەۋىتى بىلەن مۇناسىۋەتلىك بولغاچقا ، ئېنېرگىيە تارقاق X نۇرى ئانالىزى (EDX) ئېلىپ بېرىلدى.1-جەدۋەلدە ئېرىشكەن نەتىجىلەر يەكۈنلەنگەن.ھەر بىر قارار بىر تەرەپ قىلىنغان ئەۋرىشكە يۈزىدىكى ئوخشىمىغان جايلاردا ئوتتۇرا ھېساب بىلەن كەم دېگەندە تۆت سپېكترا ئارقىلىق ئېلىپ بېرىلىدۇ.ئۆلچەش ئوخشىمىغان ئەۋرىشكە تېمپېراتۇرىسىدا \ (T_ \ mathrm {s} \) ۋە ئەۋرىشكە يۈزىنىڭ ئوخشىمىغان ئورۇنلىرىدا قۇرۇلمىغان ياكى قۇرۇلمىغان رايونلاردا ئېلىپ بېرىلىدۇ.ئۆلچەشتە يەنە بىر تەرەپ قىلىنغان ئېرىتىلگەن رايوننىڭ ئاستىدا ، ئەمما EDX تەھلىلىنىڭ ئېلېكترونلۇق سىڭىپ كىرىش چوڭقۇرلۇقىدا تېخىمۇ چوڭقۇر ئوكسىدلانمىغان قەۋەتلەر توغرىسىدىكى ئۇچۇرلار بار.قانداقلا بولمىسۇن ، شۇنىڭغا دىققەت قىلىش كېرەككى ، EDX نىڭ ئوكسىگېن مىقدارىنى مىقدارلاشتۇرۇش ئىقتىدارى چەكلىك ، شۇڭا بۇ يەردىكى بۇ قىممەتلەر پەقەت سۈپەتلىك باھا بېرەلەيدۇ.
ئەۋرىشكىلەرنىڭ بىر تەرەپ قىلىنمىغان بۆلەكلىرى بارلىق مەشغۇلات تېمپېراتۇرىسىدا زور مىقداردا ئوكسىگېن كۆرسەتمىگەن.لازېرلىق داۋالاشتىن كېيىن ، بارلىق ئەھۋاللاردا ئوكسىگېن مىقدارى ئۆرلىدى.بىر تەرەپ قىلىنمىغان ئىككى ئەۋرىشكىنىڭ ئېلېمېنت تەركىبىدىكى ئوخشىماسلىق سودا پولات ئەۋرىشكىسىدە مۆلچەردىكىدەك بولۇپ ، كاربون كاربوننىڭ بۇلغىنىشى سەۋەبىدىن ئىشلەپچىقارغۇچىلارنىڭ AISI 304 پولات ماتېرىياللىرى بىلەن سېلىشتۇرغاندا كۆرۈنەرلىك يۇقىرى كاربون قىممىتى بايقالغان.
ئوق چىقىرىش تاھارەتنىڭ چوڭقۇرلۇقىنىڭ تۆۋەنلىشى ۋە LSFL-I دىن LSFL-II غا ئۆتۈشنىڭ سەۋەبلىرىنى مۇزاكىرە قىلىشتىن ئىلگىرى ، ئېلېكتر سپېكترى زىچلىقى (PSD) ۋە ئېگىزلىك ئارخىپى ئىشلىتىلىدۇ.
(1) يەر يۈزىنىڭ ئىككى ئۆلچەملىك نورماللاشتۇرۇلغان ئېلېكتر سپېكترى زىچلىقى (Q2D-PSD) 1- ۋە 2- ۋە 2-رەسىملەردە SEM تەسۋىر شەكلىدە كۆرسىتىلدى ، PSD نورماللاشقانلىقتىن ، يىغىن سىگنالىنىڭ تۆۋەنلىشى بولۇشى كېرەك. تۇراقلىق قىسمىنىڭ ئېشىشى دەپ چۈشىنىلدى (k \ (\ le \) 0.7 µm \ (^ {- 1} \) ، كۆرسىتىلمىدى) ، يەنى سىلىقلىق.(2) ماس كېلىدىغان ئوتتۇرىچە ئېگىزلىك ئارخىپى.بارلىق سۇپىلاردا ئەۋرىشكە تېمپېراتۇرىسى \ (T_s \) ، قاپلاش \ (o _ {\ mathrm {p}} \) ۋە لازېر قۇتۇپلىشىش E بارلىق ئورۇنلاردا كۆرسىتىلدى.
SEM رەسىملىرىنىڭ تەسىراتىنى ئېنىقلاش ئۈچۈن ، x ياكى y يۆنىلىشىدىكى بارلىق بىر ئۆلچەملىك (1D) قۇۋۋەت سپېكترى زىچلىقى (PSDs) ئارقىلىق ئوتتۇرىچە ھەر بىر پارامېتىر ئۈچۈن كەم دېگەندە ئۈچ SEM رەسىمدىن ئوتتۇرىچە نورماللاشتۇرۇلغان ئېلېكتر سپېكترى ھاسىل قىلىنغان.3i رەسىمدە ماس گرافىك كۆرسىتىلدى ، سىگنالنىڭ چاستوتا ئۆزگىرىشى ۋە ئۇنىڭ سپېكترىغا بولغان تۆھپىسى كۆرسىتىلدى.
ئەنجۈر ئۈستىدە.3ia, c, e, DLIP چوققىسى \ (k _ {\ mathrm {DLIP}} ~ = ~ 2 \ pi \) (4.5 µm) \ (^ {- 1} \) = 1.4 µm \ (^ {- 1} \) ياكى ماس ھالدىكى ماس ھالدىكى ماسلىشىشچانلىقى ئېشىپ كەتسە \ (o _ {\ mathrm {p)) \).ئاساسىي ئامپلىتسىيەنىڭ ئېشىشى LRIB قۇرۇلمىسىنىڭ تېخىمۇ كۈچلۈك تەرەققىي قىلىشى بىلەن مۇناسىۋەتلىك.يانتۇلۇقنىڭ تىكلىكى بىلەن تېخىمۇ يۇقىرى گارموننىڭ ئامپلتۇدىسى ئاشىدۇ.تىك تۆتبۇلۇڭلۇق فۇنكسىيەگە نىسبەتەن ، تەقلىد قىلىش ئەڭ كۆپ چاستوتا تەلەپ قىلىدۇ.شۇڭلاشقا ، PSD دىكى چوققا چوققا 1.4 µm \ (^ {- 1} \) ۋە ماس گارموننى ئۆستەڭنىڭ شەكلى ئۈچۈن سۈپەت پارامېتىرى قىلىپ ئىشلىتىشكە بولىدۇ.
ئەكسىچە ، 3-رەسىم (i) b, d, f رەسىمدە كۆرسىتىلگەندەك ، قىزىتىلغان ئەۋرىشكىنىڭ PSD ماس ھالدىكى سىگنال ئاز بولغان ئاجىز ۋە كەڭ چوققىلارنى كۆرسىتىدۇ.ئۇنىڭدىن باشقا ، ئەنجۈردە.3 (i) f ئىككىنچى گارمون سىگنالىنىڭ ھەتتا ئاساسىي سىگنالدىن ئېشىپ كەتكەنلىكىنى كۆرسىتىپ بېرىدۇ.بۇ قىزىتىلغان ئەۋرىشكىنىڭ تېخىمۇ تەرتىپسىز ۋە تەلەپپۇز قىلىنمىغان DLIP قۇرۇلمىسىنى ئەكىس ئەتتۈرىدۇ (\ (T_s \) = 21 \ (^ \ circ \) C غا سېلىشتۇرغاندا).يەنە بىر ئالاھىدىلىك شۇكى ، قاپلاش \ (o _ {\ mathrm {p}} \) نىڭ ئېشىشىغا ئەگىشىپ ، LSFL-I سىگنالى كىچىك دولقۇنغا (ئۇزۇن مەزگىل) يۆتكىلىدۇ.بۇنى DLIP ھالىتىنىڭ گىرۋەكلىرىنىڭ تىكلىكى ۋە مۇناسىۋەتلىك يەرلىكنىڭ يۈز بېرىش بۇلۇڭىنىڭ ئېشىشى بىلەن چۈشەندۈرگىلى بولىدۇ.بۇ يۈزلىنىشتىن كېيىن ، LSFL-I سىگنالىنىڭ كېڭىيىشىنىمۇ چۈشەندۈرگىلى بولىدۇ.تىك يانتۇلۇقتىن باشقا ، DLIP قۇرۇلمىسىنىڭ ئاستى ۋە ئۈستى تەرىپىدە تەكشى رايونلار بار بولۇپ ، LSFL-I دەۋرىنىڭ تېخىمۇ كەڭ دائىرىسىنى تەمىنلەيدۇ.يۇقىرى سۈمۈرۈلىدىغان ماتېرىياللارغا نىسبەتەن ، LSFL-I دەۋرى ئادەتتە:
بۇ يەردە \ (\ theta \) ھادىسە بۇلۇڭى بولۇپ ، s ۋە p مۇشتەرىلىرى ئوخشىمىغان قۇتۇپلىشىشنى كۆرسىتىدۇ.
دىققەت قىلىشقا تېگىشلىكى شۇكى ، DLIP تەڭشەش ھادىسىسى ئادەتتە 4-رەسىمدە كۆرسىتىلگەندەك ئورۇن بەلگىلەش سۇپىسىنىڭ ھەرىكىتىگە ئۇدۇل كېلىدۇ (ماتېرىيال ۋە ئۇسۇللار بۆلىكىگە قاراڭ).شۇڭلاشقا ، s قۇتۇپلىشىش قائىدە بويىچە سەھنىنىڭ ھەرىكىتى بىلەن پاراللېل بولىدۇ ، p قۇتۇپلىشىش ئۇنىڭغا ئۇدۇل كېلىدۇ.تەڭلىمىگە ئاساسەن.(1) s قۇتۇپلىشىش ئۈچۈن ، LSFL-I سىگنالىنىڭ كىچىك دولقۇنغا قاراپ كېڭىيىشى ۋە ئۆزگىرىشى مۆلچەرلەنمەكتە.بۇ ئۆستەڭنىڭ چوڭقۇرلۇقىنىڭ ئېشىشىغا ئەگىشىپ \ (\ theta \) ۋە بۇلۇڭ دائىرىسى \ (\ theta \ pm \ delta \ theta \) نىڭ كۆپىيىشىدىن بولغان.بۇنى 3-رەسىم ، c ، e دىكى LSFL-I چوققىسىنى سېلىشتۇرۇش ئارقىلىق كۆرگىلى بولىدۇ.
ئەنجۈردە كۆرسىتىلگەن نەتىجىلەرگە ئاساسەن.ئەنجۈردىكى ماس PSD دا 1c ، LSFL \ (_ \ mathrm {edge} \) مۇ كۆرۈنىدۇ.3ie.ئەنجۈر ئۈستىدە.3ig, h PSD نى p قۇتۇپلاشتۇرۇشنى كۆرسىتىدۇ.قىزىتىلغان ۋە قىزىتىلمىغان ئەۋرىشكە ئارىسىدا DLIP چوققىسىنىڭ پەرقى تېخىمۇ كۆرۈنەرلىك.بۇ خىل ئەھۋالدا ، LSFL-I نىڭ سىگنالى DLIP چوققىسىنىڭ تېخىمۇ يۇقىرى گارمونىيىسى بىلەن قاپلىنىپ ، لازېر دولقۇن ئۇزۇنلۇقىغا يېقىن سىگنالنى قوشىدۇ.
نەتىجىنى تېخىمۇ تەپسىلىي مۇلاھىزە قىلىش ئۈچۈن ، 3ii رەسىمدە ھەر خىل تېمپېراتۇرىدا DLIP سىزىقلىق بوي ئېگىزلىكىنىڭ تومۇرلىرى ئارىسىدىكى قۇرۇلما چوڭقۇرلۇقى ۋە بىر-بىرىگە باغلانغانلىقى كۆرسىتىلدى.يەر يۈزىنىڭ تىك ئېگىزلىك ئارخىپى DLIP قۇرۇلمىسىنىڭ مەركىزى ئەتراپىدا ئوتتۇرا ھېساب بىلەن ئون يەككە تىك ئېگىزلىك ئارخىپىغا ئېرىشكەن.ھەر بىر قوللىنىلغان تېمپېراتۇرا ئۈچۈن ، تومۇرنىڭ قاپلىنىشى بىلەن قۇرۇلمىنىڭ چوڭقۇرلۇقى ئاشىدۇ.قىزىتىلغان ئەۋرىشكىنىڭ ئارخىپىدا چوققا چوققا چوققا قىممەت (pvp) قىممىتى 0.87 µm ، قۇتۇپلىشىشنىڭ 1.06 µm.بۇنىڭغا سېلىشتۇرغاندا ، قىزىتىلمىغان ئەۋرىشكىنىڭ s قۇتۇپلىشىشى ۋە p قۇتۇپلىشىشى ئايرىم-ئايرىم ھالدا pvp 1.75 µm ۋە 2.33 µm.ماس كېلىدىغان pvp ئەنجۈردىكى ئېگىزلىك ئارخىپىدا تەسۋىرلەنگەن.3ii.ھەر بىر PvP ئوتتۇرىچە قىممىتى ئوتتۇرا ھېساب بىلەن سەككىز دانە PvP ئارقىلىق ھېسابلىنىدۇ.
ئۇنىڭدىن باشقا ، ئەنجۈردە.3iig ، h ئورۇن بەلگىلەش سىستېمىسى ۋە ئوقيا ھەرىكىتىنىڭ توغرىسىغا p قۇتۇپلىشىش ئېگىزلىكىنىڭ تەقسىملىنىشىنى كۆرسىتىدۇ.P قۇتۇپلىشىشنىڭ يۆنىلىشى ئۆستەڭنىڭ چوڭقۇرلۇقىغا ئاكتىپ تەسىر كۆرسىتىدۇ ، چۈنكى ئۇ 1.75 µm pvp دىكى s قۇتۇپلىشىشقا سېلىشتۇرغاندا 2.33 µm دە سەل يۇقىرى pvp ھاسىل قىلىدۇ.بۇ ئۆز نۆۋىتىدە ئورۇن بەلگىلەش سۇپىسى سىستېمىسىنىڭ ئۆستەڭ ۋە ھەرىكىتىگە ماس كېلىدۇ.بۇ ئۈنۈمنى s قۇتۇپلىشىش مەسىلىسىدە p قۇتۇپلىشىش ئەھۋالىغا سېلىشتۇرغاندا كىچىكرەك قۇرۇلما كەلتۈرۈپ چىقىرىشى مۇمكىن (2f ، h رەسىمگە قاراڭ) ، كېيىنكى بۆلەكتە تېخىمۇ كۆپ مۇلاھىزە قىلىنىدۇ.
بۇ مۇلاھىزەنىڭ مەقسىتى قىزىتىلغان ئەۋرىشكەلەردە ئاساسلىق LIPS سىنىپى (LSFL-I دىن LSFL-II) نىڭ ئۆزگىرىشى سەۋەبىدىن ئۆستەڭ چوڭقۇرلۇقىنىڭ تۆۋەنلىشىنى چۈشەندۈرۈش.شۇڭا تۆۋەندىكى سوئاللارغا جاۋاب بېرىڭ:
بىرىنچى سوئالغا جاۋاب بېرىش ئۈچۈن ، تاھارەتنى ئازايتىشقا مەسئۇل مېخانىزملارنى ئويلىشىش كېرەك.نورمال ئەھۋالدىكى يەككە تومۇرغا نىسبەتەن ، تاھارەت چوڭقۇرلىقىنى مۇنداق تەسۋىرلەشكە بولىدۇ:
قەيەردە \ بوسۇغىسى ئايرىم-ئايرىم 34.
ماتېماتىكىدىن قارىغاندا ، ئېنېرگىيەنىڭ سىڭىپ كىرىشىنىڭ چوڭقۇرلۇقى تاھارەتنىڭ چوڭقۇرلۇقىغا كۆپ خىل تەسىر كۆرسىتىدۇ ، ئەمما ئېنېرگىيەنىڭ ئۆزگىرىشى لوگارىزىم رولىغا ئىگە.شۇڭا راۋان ئۆزگىرىش \ (\ Phi ~ \ gg ~ \ Phi _ {\ mathrm {th}} \) بولسىلا \ (\ Delta z \) غا تەسىر كۆرسەتمەيدۇ.قانداقلا بولمىسۇن ، كۈچلۈك ئوكسىدلىنىش (مەسىلەن ، خىروم ئوكسىدنىڭ شەكىللىنىشى سەۋەبىدىن) Cr-Cr زايومىغا سېلىشتۇرغاندا تېخىمۇ كۈچلۈك Cr-O35 زايومىنى كەلتۈرۈپ چىقىرىدۇ ، بۇ ئارقىلىق تاھارەت ئېلىش چېكى يۇقىرىلايدۇ.نەتىجىدە ، \ (\ Phi ~ \ gg ~ \ Phi _ {\ mathrm {th}} \) ئەمدى رازى بولمايدۇ ، بۇ ئېنېرگىيە ئېقىمىنىڭ زىچلىقىنىڭ تۆۋەنلىشى بىلەن تاھارەت چوڭقۇرلۇقىنىڭ تېز تۆۋەنلىشىنى كەلتۈرۈپ چىقىرىدۇ.بۇنىڭدىن باشقا ، ئوكسىدلىنىش ھالىتى بىلەن LSFL-II دەۋرى ئوتتۇرىسىدىكى باغلىنىشلىق ئىكەنلىكى مەلۇم ، بۇنى نانو قۇرۇلمىسىنىڭ ئۆزى ۋە يەر يۈزىنىڭ ئوكسىدلىنىش كەلتۈرۈپ چىقارغان ئوپتىكىلىق خۇسۇسىيىتى 30،35 دەپ چۈشەندۈرىدۇ.شۇڭلاشقا ، سۈمۈرۈلۈش راكىنىڭ ئېنىق يەر يۈزى تەقسىملىنىشى \ (\ Phi \) قۇرۇلما دەۋرى بىلەن ئوكسىد قەۋىتىنىڭ قېلىنلىقى ئوتتۇرىسىدىكى ئۆز-ئارا تەسىرنىڭ مۇرەككەپ دىنامىكىسىدىن بولىدۇ.دەۋرگە ئاساسەن ، نانو قۇرۇلمىسى ئېتىزنىڭ شىددەت بىلەن ئېشىشى ، يەر يۈزى پىلازمىسىنىڭ ھاياجانلىنىشى ، ئادەتتىن تاشقىرى نۇر يۆتكەش ياكى چېچىلىش سەۋەبىدىن سۈمۈرۈلگەن ئېنېرگىيە ئېقىمىنىڭ تارقىلىشىغا كۈچلۈك تەسىر كۆرسىتىدۇ.شۇڭلاشقا \ \ ^ {-1} \ تەخمىنەن \ delta _ {\ mathrm {E}} ^ {- 1} \) پۈتكۈل يەر يۈزىگە يېقىن ھەجىم ئۈچۈن.ئوكسىد پىلاستىنكىسىنىڭ قېلىنلىقى ئاساسەن مۇستەھكەملىنىش ۋاقتىغا باغلىق بولغاچقا ، ئىسىم قويۇش ئۈنۈمى ئەۋرىشكە تېمپېراتۇرىسىغا باغلىق.قوشۇمچە ماتېرىيالدىكى S1 رەسىمدە كۆرسىتىلگەن ئوپتىكىلىق مىكروگرافىك ئوپتىكىلىق خۇسۇسىيەتنىڭ ئۆزگىرىشىنى كۆرسىتىپ بېرىدۇ.
بۇ ئۈنۈملەر رەسىم 1d ، e ۋە 2b ، c ۋە 3 (ii) b ، d ، f دىكى كىچىك يەر يۈزى قۇرۇلمىسىدىكى تېيىز ئۆستەڭنىڭ چوڭقۇرلۇقىنى قىسمەن چۈشەندۈرۈپ بېرىدۇ.
LSFL-II يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ، دىئېلېكترىك ۋە ئوكسىدلىنىشقا مايىل ماتېرىياللاردا شەكىللەنگەنلىكى مەلۇم ، 14،29،30،36،37.كېيىنكى ئەھۋالدا ، يەر يۈزى ئوكسىد قەۋىتىنىڭ قېلىنلىقى ئالاھىدە مۇھىم 30.ئېلىپ بېرىلغان EDX تەھلىلى قۇرۇلمىلىق يۈزىدە يەر يۈزى ئوكسىدلىرىنىڭ شەكىللەنگەنلىكىنى ئاشكارىلىدى.شۇڭا ، قىزىتىلمىغان ئەۋرىشكە ئۈچۈن ، مۇھىتتىكى ئوكسىگېن گاز زەررىچىلىرىنىڭ قىسمەن شەكىللىنىشى ۋە قىسمەن يەر يۈزى ئوكسىدلىرىنىڭ شەكىللىنىشىگە تۆھپە قوشىدىغاندەك قىلىدۇ.ھەر ئىككى ھادىسە بۇ جەريانغا مۇھىم تۆھپە قوشىدۇ.ئەكسىچە ، قىزىتىلغان ئەۋرىشكە ئۈچۈن ، ھەر خىل ئوكسىدلىنىش ھالىتىدىكى مېتال ئوكسىدلار (SiO \ (_ {\ mathrm {2}} \) ، Cr \ (_ {\ mathrm {n}} \) O \ (_ {\ mathrm { m}} \) ، Fe \ (_ {\ mathrm {n}} \) O \ (_ {\ mathrm {m}} \) ، NiO قاتارلىقلار) 38 نىڭ قوللىشى ئېنىق.تەلەپ قىلىنغان ئوكسىد قەۋىتىدىن باشقا ، يەر ئاستى ئۇزۇنلۇقىنىڭ يىرىكلىكى ، ئاساسلىقى يۇقىرى بوشلۇق چاستوتىسى LIPSS (HSFL) بولۇشى كېرەك ، تەلەپ قىلىنغان تارماق دولقۇن ئۇزۇنلۇقى (d تىپلىق) كۈچلۈكلۈك ھالىتىنى شەكىللەندۈرۈش كېرەك.ئەڭ ئاخىرقى LSFL-II كۈچلۈكلۈك ھالىتى HSFL ئامپلىتسىيەسى ۋە ئوكسىد قېلىنلىقىنىڭ ئىقتىدارى.بۇ خىل ھالەتنىڭ سەۋەبى HSFL تارقاتقان نۇرنىڭ يورۇقلۇققا ئارىلىشىشى ۋە نۇرنىڭ ماتېرىيالغا سۇندۇرۇلۇشى ۋە يەر يۈزىدىكى دىئېلېكترىك ماتېرىيالنىڭ ئىچىدە تارقىلىشى 20،29،30.قوشۇمچە ماتېرىياللار بۆلىكىدىكى S2 رەسىمدىكى يەر يۈزى ئەندىزىسىنىڭ گىرۋىكىدىكى SEM رەسىملىرى ئىلگىرىكى HSFL نى كۆرسىتىدۇ.بۇ تاشقى رايون HSFL نىڭ شەكىللىنىشىگە يول قويغان كۈچلۈكلۈك تەقسىماتنىڭ ئەتراپىغا ئاجىز تەسىر كۆرسىتىدۇ.كۈچلۈكلۈك تەقسىملەشنىڭ سىممېترىكلىكى سەۋەبىدىن ، بۇ ئۈنۈم سىكانېرلاش يۆنىلىشىدىمۇ ئېلىپ بېرىلىدۇ.
ئەۋرىشكە قىزىتىش بىر قانچە جەھەتتىن LSFL-II شەكىللىنىش جەريانىغا تەسىر كۆرسىتىدۇ.بىر تەرەپتىن ، ئەۋرىشكە تېمپېراتۇرىسىنىڭ ئۆرلىشى \ (T_ \ mathrm {s} \) ئېرىتىش قەۋىتىنىڭ قېلىنلىقىغا قارىغاندا قاتتىقلىشىش ۋە سوۋۇتۇش سۈرئىتىگە تېخىمۇ چوڭ تەسىر كۆرسىتىدۇ.شۇڭا ، قىزىتىلغان ئەۋرىشكىنىڭ سۇيۇق كۆرۈنمە يۈزى ئۇزۇن ۋاقىت مۇھىت ئوكسىگىن بىلەن ئۇچرىشىدۇ.ئۇنىڭدىن باشقا ، كېچىكىپ قاتتىقلاشتۇرۇش ئوكسىگېن بىلەن ئوكسىدنىڭ سۇيۇق پولات بىلەن ئارىلاشتۇرۇلۇشىنى ئاشۇرىدىغان مۇرەككەپ تۇتاشتۇرۇش جەريانىنى تەرەققىي قىلدۇرىدۇ.بۇنى پەقەت دىففۇزىيە ئارقىلىق شەكىللەنگەن ئوكسىد قەۋىتىنىڭ قېلىنلىقىنى سېلىشتۇرۇش ئارقىلىق كۆرسەتكىلى بولىدۇ (\ (\ Lambda _ \ mathrm {diff} = \ sqrt {D ~ \ times ~ t_ \ mathrm {s}} ~ \ le ~ 15 \) nm) ماس كېلىدىغان ئۇيۇشۇش ۋاقتى \ (t_ \ mathrm {s} ~ \ le ~ 200 \) ns ، تارقىلىش كوئېففىتسېنتى \ (D ~ \ le \) 10 \ (^ {- 5} \) cm \ (^ 2 \) / s) LSFL-II شەكىللىنىشتە كۆرۈنەرلىك يۇقىرى قېلىنلىق كۆرۈلگەن ياكى تەلەپ قىلىنغان.يەنە بىر جەھەتتىن ، ئىسسىنىش HSFL نىڭ شەكىللىنىشىگىمۇ تەسىر كۆرسىتىدۇ ، شۇڭلاشقا LSFL-II d تىپلىق كۈچلۈكلۈك ھالىتىگە ئۆتۈش ئۈچۈن كېرەكلىك چېچىلىش جىسىملىرى.يەر يۈزىدە قاپسىلىپ قالغان نانوئىدلارنىڭ ئاشكارىلىنىشى ئۇلارنىڭ HSFL39 نىڭ شەكىللىنىشىگە قاتناشقانلىقىنى كۆرسىتىپ بېرىدۇ.بۇ نۇقسانلار ئېھتىياجلىق يۇقىرى چاستوتىلىق دەۋرىيلىك كۈچلۈكلۈك ئەندىزىسى سەۋەبىدىن HSFL نىڭ ئېلېكتر ماگنىت مەنبەسىگە ۋەكىللىك قىلىشى مۇمكىن.بۇنىڭدىن باشقا ، بۇ ھاسىل قىلىنغان كۈچلۈكلۈك ھالىتى تېخىمۇ كۆپ نانوۋىد 19 بىلەن بىردەك.شۇڭا ، HSFL نىڭ كۆرۈلۈش نىسبىتىنىڭ ئېشىشىنىڭ سەۋەبىنى ((T_ \ mathrm {s} \) نىڭ ئېشىشىغا ئەگىشىپ ، خرۇستال كەمتۈكلۈكنىڭ ھەرىكەتچانلىقىنىڭ ئۆزگىرىشى بىلەن چۈشەندۈرگىلى بولىدۇ.
يېقىندا كۆرسىتىلىشىچە ، كرېمنىينىڭ سوۋۇتۇش نىسبىتى ئىچكى ئارىلىقتىكى دەرىجىدىن تاشقىرى دەرىجىدىن تاشقىرى ئايلىنىشنىڭ مۇھىم پارامېتىرى بولۇپ ، تارقاقلىشىشنىڭ شەكىللىنىشى بىلەن نۇقسانلارنىڭ يىغىلىشى ئۈچۈن 40،41.ساپ مېتاللارنىڭ مولېكۇلا دىنامىك تەقلىدلىرى شۇنى ئىسپاتلىدىكى ، بوش ئورۇنلار تېز سۈرئەتتە قايتا قۇرۇش جەريانىدا دەرىجىدىن تاشقىرى ئورۇننى ئىگىلەيدۇ ، شۇڭلاشقا مېتاللاردىكى بوش ئورۇنلارنىڭ توپلىنىشىمۇ مۇشۇنىڭغا ئوخشاش كىرىم قىلىدۇ.ئۇنىڭدىن باشقا ، كۈمۈشنىڭ يېقىنقى تەجرىبە تەتقىقاتى نۇقسانلارنىڭ يىغىلىشى سەۋەبىدىن بوشلۇق ۋە گۇرۇپپىلارنىڭ شەكىللىنىش مېخانىزمىغا مەركەزلەشتى.شۇڭلاشقا ، ئەۋرىشكە \ (T_ \ mathrm {s} \) نىڭ تېمپېراتۇرىسىنىڭ ئۆرلىشى ۋە نەتىجىدە ، سوۋۇتۇش نىسبىتىنىڭ تۆۋەنلىشى HSFL نىڭ يادروسى بولغان بوشلۇقلارنىڭ شەكىللىنىشىگە تەسىر كۆرسىتىدۇ.
ئەگەر بوش ئورۇنلار كاۋاكنىڭ زۆرۈر ئالدىن بېشارىتى بولسا ، شۇڭا HSFL بولسا ، ئەۋرىشكە تېمپېراتۇرىسى \ (T_s \) ئىككى خىل ئۈنۈمگە ئىگە بولۇشى كېرەك.بىر تەرەپتىن ، \ (T_s \) قايتا قۇراشتۇرۇش سۈرئىتىگە تەسىر كۆرسىتىدۇ ، نەتىجىدە ، يېتىلگەن كرىستالدىكى نۇقتا كەمتۈكلۈكى (بوش قويۇقلۇق).يەنە بىر جەھەتتىن ، ئۇ مۇستەھكەملەنگەندىن كېيىن سوۋۇتۇش سۈرئىتىگىمۇ تەسىر كۆرسىتىدۇ ، بۇ ئارقىلىق كىرىستال 40,41 نۇقتىدىكى نۇقسانلارنىڭ تارقىلىشىغا تەسىر كۆرسىتىدۇ.ئۇنىڭدىن باشقا ، مۇستەھكەملىنىش نىسبىتى كىرىستاللوگرافىيىلىك يۆنىلىشكە باغلىق ، شۇڭا نۇقسان كەمتۈكلۈكنىڭ تارقىلىشىدەك يۇقىرى ئانسوتروپىك بولىدۇ.بۇ ئالدىنقى شەرتكە ئاساسەن ، ماتېرىيالنىڭ ئانسوتروپىك ئىنكاسى سەۋەبىدىن ، يورۇقلۇق بىلەن ماددىنىڭ ئۆز-ئارا تەسىر قىلىشى ئانسوتروپىكقا ئايلىنىدۇ ، بۇ ئۆز نۆۋىتىدە بۇ ئېنىرگىيەنىڭ قەرەللىك قويۇپ بېرىلىشىنى كۈچەيتىدۇ.پولى كرىستال ماتېرىياللارغا نىسبەتەن ، بۇ ھەرىكەتنى بىر تال داننىڭ چوڭ-كىچىكلىكى بىلەنلا چەكلىگىلى بولىدۇ.ئەمەلىيەتتە ، LIPSS نىڭ شەكىللىنىشى ئاشلىقنىڭ يۆنىلىشىگە ئاساسەن 46،47 بولغان.شۇڭلاشقا ، ئەۋرىشكە تېمپېراتۇرىسىنىڭ \ (T_s \) نىڭ كىرىستاللاش نىسبىتىگە كۆرسىتىدىغان تەسىرى ئاشلىق يۆنىلىشىنىڭ تەسىرىدەك كۈچلۈك بولماسلىقى مۇمكىن.شۇڭا ، ئوخشىمىغان دانلارنىڭ ئوخشىمىغان كىرىستاللوگرافىك يۆنىلىشى ئايرىم-ئايرىم ھالدا HSFL ياكى LSFL-II نىڭ بوشلۇقنىڭ كۆپىيىشى ۋە توپلىنىشى ئۈچۈن يوشۇرۇن چۈشەنچە بېرىدۇ.
بۇ پەرەزنىڭ دەسلەپكى ئالامەتلىرىنى ئايدىڭلاشتۇرۇش ئۈچۈن ، خام ئەۋرىشكە ياسالغان بولۇپ ، يەر يۈزىگە يېقىن داننىڭ شەكىللەنگەنلىكىنى ئاشكارىلىغان.ئەنجۈردىكى دانلارنى سېلىشتۇرۇش.S3 قوشۇمچە ماتېرىيالدا كۆرسىتىلدى.ئۇنىڭدىن باشقا ، LSFL-I ۋە LSFL-II ئىسسىقلىق ئەۋرىشكىسىدە گۇرۇپپىلارغا بۆلۈندى.بۇ گۇرۇپپىلارنىڭ چوڭ-كىچىكلىكى ۋە گېئومېتىرىيىسى داننىڭ چوڭ-كىچىكلىكىگە ماس كېلىدۇ.
ئۇنىڭ ئۈستىگە ، HSFL پەقەت تۆۋەن ئېقىن زىچلىقىدا تار دائىرىدە پەيدا بولىدۇ ، چۈنكى ئۇنىڭ ئۇلىنىش مەنبەسى 19،29،48.شۇڭلاشقا ، سىناقلاردا ، بۇ بەلكىم لىم ئارخىپىنىڭ ئەتراپىدا يۈز بېرىشى مۇمكىن.شۇڭلاشقا ، HSFL ئوكسىدلانمىغان ياكى ئاجىز ئوكسىدلانغان يۈزىدە شەكىللەنگەن بولۇپ ، بىر تەرەپ قىلىنغان ۋە بىر تەرەپ قىلىنمىغان ئەۋرىشكىلەرنىڭ ئوكسىد بۆلەكلىرىنى سېلىشتۇرۇشتا كۆرۈنەرلىك بولدى (جەدۋەل reftab گە قاراڭ).بۇ ئوكسىد قەۋىتىنىڭ ئاساسلىقى لازېر كەلتۈرۈپ چىقىرىدىغانلىقىنى پەرەز قىلدى.
LIPSS نىڭ شەكىللىنىشى ئادەتتە تومۇر ئارىلىقىدىكى ئىنكاس سەۋەبىدىن تومۇر سانىغا باغلىق ئىكەنلىكىنى نەزەردە تۇتقاندا ، تومۇرنىڭ قاپلىنىشى كۆپىيىۋاتقاندا HSFL لارنى چوڭ قۇرۇلمىلارنىڭ ئورنىنى ئالالايدۇ.بىر قەدەر ئاز بولغان HSFL LSFL-II نىڭ شەكىللىنىشى ئۈچۈن تەلەپ قىلىنغان تۆۋەن دەرىجىدىكى كۈچلۈكلۈك ئەندىزىسىنى (d ھالىتى) كەلتۈرۈپ چىقىرىدۇ.شۇڭلاشقا ، \ (o_ \ mathrm {p} \) نىڭ قاپلىنىشىنىڭ ئېشىشىغا ئەگىشىپ (de دىن 1-رەسىمگە قاراڭ) ، LSFL-II نىڭ قانۇنىيىتى تۆۋەنلەيدۇ.
بۇ تەتقىقات يەر ئاستى تېمپېراتۇرىسىنىڭ لازېر قۇرۇلمىلىق DLIP داتلاشماس پولاتنىڭ يەر يۈزى مورفولوگىيىسىگە كۆرسەتكەن تەسىرىنى تەكشۈردى.يەر ئاستى سۈيىنى 21 سېلسىيە گرادۇستىن 250 سېلسىيە گرادۇسقىچە قىزىتىشنىڭ قۇتۇپلىشىشتا تاھارەت چوڭقۇرلۇقىنىڭ 1.75 دىن 0.87 µm غىچە ، p قۇتۇپلىشىشتا 2.33 دىن 1.06 مىللىمېتىرغىچە تۆۋەنلىشىنى كەلتۈرۈپ چىقىرىدىغانلىقى بايقالدى.بۇ تۆۋەنلەش LIPSS تىپىنىڭ LSFL-I دىن LSFL-II غا ئۆزگىرىشىدىن بولغان ، بۇ تېخىمۇ يۇقىرى ئەۋرىشكە تېمپېراتۇرىسىدا لازېر نۇرلۇق يەر يۈزى ئوكسىد قەۋىتى بىلەن مۇناسىۋەتلىك.بۇنىڭدىن باشقا ، LSFL-II ئوكسىدلىنىشنىڭ ئېشىپ كېتىشى سەۋەبىدىن بوسۇغىنىڭ ئېقىشىنى ئاشۇرۇشى مۇمكىن.يۇقىرى تېخنىكىلىق قاپلىنىش ، ئوتتۇرىچە ئېنېرگىيە زىچلىقى ۋە ئوتتۇرىچە تەكرارلىنىش نىسبىتى يۇقىرى بولغان بۇ تېخنىكا سىستېمىسىدا LSFL-II نىڭ پەيدا بولۇشى ئەۋرىشكە قىزىتىشتىن كېلىپ چىققان يۆتكىلىشچان ھەرىكەتنىڭ ئۆزگىرىشى تەرىپىدىن بەلگىلىنىدۇ دەپ قارالدى.LSFL-II نىڭ توپلىنىشى ئاشلىق يۆنىلىشىگە تايىنىدىغان نانوئىدنىڭ شەكىللىنىشىدىن كېلىپ چىققان دەپ پەرەز قىلىنغان ، بۇ HSFL نى LSFL-II نىڭ باشلامچىسى قىلغان.ئۇنىڭدىن باشقا ، قۇتۇپلىشىش يۆنىلىشىنىڭ قۇرۇلما دەۋرىگە ۋە قۇرۇلما دەۋرىنىڭ كەڭ بەلۋاغقا بولغان تەسىرى تەتقىق قىلىنغان.مەلۇم بولۇشىچە ، p قۇتۇپلىشىش DLIP جەريانى ئۈچۈن تاھارەت چوڭقۇرلۇقى ئۈچۈن تېخىمۇ ئۈنۈملۈك.ئومۇمىي جەھەتتىن ئالغاندا ، بۇ تەتقىقات DLIP تاھارەتنىڭ چوڭقۇرلۇقىنى كونترول قىلىش ۋە ئەلالاشتۇرۇش ئۈچۈن بىر يۈرۈش جەريان پارامېتىرلىرىنى يېشىپ ، خاسلاشتۇرۇلغان يەر يۈزى ئەندىزىسىنى بارلىققا كەلتۈردى.ئاخىرىدا ، LSFL-I دىن LSFL-II غا ئۆتۈش پۈتۈنلەي ئىسسىقلىق بىلەن ھەرىكەتلىنىدۇ ، ئىسسىقلىق مىقدارىنىڭ ئېشىشى سەۋەبىدىن تومۇرنىڭ ئۈزلۈكسىز ئۆرلىشى بىلەن تەكرارلىنىش نىسبىتىنىڭ ئازراق ئېشىشىدىن ئۈمىد بار.بۇ تەرەپلەرنىڭ ھەممىسى پات ئارىدا DLIP جەريانىنى كېڭەيتىشتىكى رىقابەتكە مۇناسىۋەتلىك ، مەسىلەن كۆپ قىرلىق سىكانېرلاش سىستېمىسى 49.ئىسسىقلىقنىڭ يىغىلىشىنى ئەڭ تۆۋەن چەككە چۈشۈرۈش ئۈچۈن ، تۆۋەندىكى ئىستراتېگىيەلەرنى قوللانغىلى بولىدۇ: كۆپ قۇتۇپلۇق سىكانېرنىڭ سىكانېرلاش سۈرئىتىنى ئىمكانقەدەر يۇقىرى ساقلاپ ، تېخىمۇ چوڭ لازېرلىق داغنىڭ چوڭلۇقىدىن پايدىلىنىپ ، سىكاننېرلاش يۆنىلىشىگە توغرىلىنىدۇ ھەمدە ئەڭ ياخشى تاھارەت ئىشلىتىش.28. بۇنىڭدىن باشقا ، بۇ پىكىرلەر DLIP ئارقىلىق ئىلغار يەر يۈزى فۇنكسىيەسى ئۈچۈن مۇرەككەپ قاتلاملىق يەر تۈزۈلۈشىنى بارلىققا كەلتۈرىدۇ.
بۇ تەتقىقاتتا ، ئېلېكترلەشتۈرۈلگەن داتلاشماس پولات تاختاي (X5CrNi18-10 ، 1.4301 ، AISI 304) قېلىنلىقى 0.8 مىللىمېتىر ئىشلىتىلگەن.يەر يۈزىدىكى بۇلغانمىلارنى يوقىتىش ئۈچۈن ، ئەۋرىشكە لازېرلىق داۋالاشتىن ئىلگىرى ئېتانول بىلەن ئېھتىيات بىلەن يۇيۇلدى (ئېتانولنىڭ مۇتلەق قويۇقلۇقى% 99.9).
DLIP تەڭشىكى 4-رەسىمدە كۆرسىتىلدى ، ئەۋرىشكە DLIP سىستېمىسى ئارقىلىق ياسالغان ، 12 ps ئۇلترا ئاۋاز دولقۇنى سوقۇلغان لازېر مەنبەسى بىلەن دولقۇن ئۇزۇنلۇقى 532 nm ، ئەڭ يۇقىرى تەكرارلىنىش نىسبىتى 50MHz.يورۇقلۇق ئېنېرگىيىسىنىڭ بوشلۇقتىكى تارقىلىشى گاۋسىيىلىك.ئالاھىدە لايىھەلەنگەن ئوپتىكا قوش نۇرلۇق ئارىلىق ئارىلىق قۇرۇلمىسى بىلەن تەمىنلەپ ، ئەۋرىشكە سىزىقلىق قۇرۇلما ھاسىل قىلىدۇ.فوكۇس ئارىلىقى 100 مىللىمېتىر كېلىدىغان لىنزا يەر يۈزىدىكى مۇقىم بۇلۇڭى 6.8 \ (^ \ circ \) دىن ئىبارەت ئىككى قوشۇمچە لازېر نۇرىنى بېسىپ چۈشىدۇ ، بۇ بوشلۇق تەخمىنەن 4.5 µm.تەجرىبە ئورۇنلاشتۇرۇشىغا ئائىت تېخىمۇ كۆپ ئۇچۇرلارنى باشقا يەردىن تاپقىلى بولىدۇ.
لازېر پىششىقلاپ ئىشلەشتىن بۇرۇن ، ئەۋرىشكە مەلۇم تېمپېراتۇرىدا ئىسسىنىش تاختىسىغا قويۇلدى.ئىسسىنىش تاختىسىنىڭ تېمپېراتۇرىسى 21 ۋە 250 سېلسىيە گرادۇس قىلىپ بېكىتىلدى.بارلىق تەجرىبىلەردە ، ئوپتىكىدىكى چاڭ-توزاننىڭ چۆكۈپ كېتىشىنىڭ ئالدىنى ئېلىش ئۈچۈن ، گاز چىقىرىش ئۈسكۈنىسى بىلەن بىرلەشتۈرۈلگەن پرېسلانغان ھاۋانىڭ تەتۈر ئايروپىلانى ئىشلىتىلگەن.X ، y باسقۇچلۇق سىستېما قۇرۇلغاندا ئەۋرىشكىنى ئورۇنلاشتۇرىدۇ.
ئورۇن بەلگىلەش باسقۇچىنىڭ سۈرئىتى 66 دىن 200 مىللىمېتىرغىچە بولۇپ ، ئايرىم-ئايرىم ھالدا 99.0 دىن 99.67 \ (\% \) تومۇر ئارىسىدا ئۆز-ئارا قاپلىنىشقا ئېرىشتى.بارلىق ئەھۋاللاردا ، تەكرارلىنىش نىسبىتى 200 kHz قىلىپ بېكىتىلدى ، ئوتتۇرىچە قۇۋۋىتى 4 W بولۇپ ، ھەر بىر تومۇرغا 20 μJ ئېنېرگىيە بېرىدۇ.DLIP تەجرىبىسىدە ئىشلىتىلگەن نۇر دەستىسى دىئامېتىرى تەخمىنەن 100 µm ، نەتىجىدە چوققا لازېر ئېنېرگىيىسىنىڭ زىچلىقى 0.5 J / cm \ (^ {2} \).بىرلىك رايونىغا تارقىتىلغان ئومۇمىي ئېنېرگىيە \ J (cm _ \ \ mathrm {p}} \) = 50 J / cm \ (^ 2 \) گە ماس كېلىدىغان چوققا جۇغلانما راۋان بولۇپ ، 100 J / cm \ (^ 2 \) \ (o _ {\ mathrm {p)) \) = 99.5 \ (\% \) ۋە 150 J / cm \ (^ 2 \) ئۈچۈن \ (o_ {\ mathrm {p}} \) ) = 99.67 \ (\% \).\ (\ Lambda \) / 2 تاختىسىنى ئىشلىتىپ لازېر نۇرىنىڭ قۇتۇپلىشىشىنى ئۆزگەرتىڭ.ئىشلىتىلگەن ھەر بىر يۈرۈش پارامېتىرلار ئۈچۈن ئەۋرىشكە تەخمىنەن 35 × 5 mm \ (^ {2} \) كېلىدۇ.بارلىق قۇرۇلمىلىق سىناقلار مۇھىت شارائىتىدا ئېلىپ بېرىلىپ ، سانائەتنىڭ قوللىنىشچانلىقىغا كاپالەتلىك قىلىندى.
ئەۋرىشكەلەرنىڭ مورفولوگىيىسى ئايرىم-ئايرىم ھالدا 50x چوڭايتىش ۋە ئوپتىكىلىق ۋە تىك ئېنىقلىق دەرىجىسى 170 nm ۋە 3 nm بولغان ماسلاشتۇرۇلغان مىكروسكوپ ئارقىلىق تەكشۈرۈلگەن.توپلانغان يەر شەكلى سانلىق مەلۇماتلىرى يەر يۈزى ئانالىز يۇمشاق دېتالى ئارقىلىق باھالانغان.ISO 1661051 غا ئاساسەن يەر سانلىق مەلۇماتلىرىدىن ئارخىپ چىقىرىڭ.
بۇ ئەۋرىشكەلەر يەنە سىكانېرلاش ئېلېكترون مىكروسكوپ ئارقىلىق 6.0 كىلوۋولتلۇق تېزلىنىش بېسىمىدا ئىشلىتىلگەن.ئەۋرىشكە يۈزىنىڭ خىمىيىلىك تەركىبى 15 كىلوۋولتلۇق تېزلىكتىكى ئېلېكتر ئېنېرگىيىسى تارقاق رېنتىگېن سپېكتروسكوپى (EDS) ئۇلىنىشى ئارقىلىق باھالانغان.ئۇنىڭدىن باشقا ، 50x ئوبيېكتىپ بولغان ئوپتىكىلىق مىكروسكوپ ئەۋرىشكىنىڭ مىكرو قۇرۇلمىسىنىڭ دانچە مورفولوگىيىسىنى ئېنىقلاشقا ئىشلىتىلگەن. بۇنىڭدىن ئىلگىرى ، ئەۋرىشكەلەر 50 \ (^ \ circ \) C نىڭ تېمپېراتۇرىسىدا بەش مىنۇت داتلاشماس پولات داغدا ھىدرو كىسلاتا ۋە نىترىت كىسلاتا قويۇقلۇقى 15 ~ 20 \ (\% \) ۋە 1 \ ( - <\) ئايرىم-ئايرىم ھالدا 5 \ (\% \). بۇنىڭدىن ئىلگىرى ، ئەۋرىشكەلەر 50 \ (^ \ circ \) C نىڭ تېمپېراتۇرىسىدا بەش مىنۇت داتلاشماس پولات داغدا ھىدرو كىسلاتا ۋە نىترىت كىسلاتا قويۇقلۇقى 15 ~ 20 \ (\% \) ۋە 1 \ ( - <\) ئايرىم-ئايرىم ھالدا 5 \ (\% \). پېرېد этим обрцы травили при постоянной كانې 50 \ (^ \ Cir \ \% \) соответственно. بۇنىڭدىن ئىلگىرى ، ئەۋرىشكەلەر 15 \ \ (\% \) ۋە 1 \ - <\) ئايرىم-ئايرىم ھالدا 5 \ (\% \).在 此 之前 ， 样品 在 不锈钢 染色液 以 \ 50 \ (^ \ circ \) C 的 恒温 蚀刻 五 分钟 ， 盐酸 和 硝酸 为 – 15–20 \ (\% \) 和 1 \ (- <\) 5 \ (\% \) ， 分别。在 此 之前 ， 样品 在 不锈钢 染色液 中 以 50 \ (^ \ circ \) C (\% \) ， 分别。ئۇنىڭدىن ئىلگىرى ، ئەۋرىشكەلەر 15 ~ 20 \ (\% \) ۋە 1 لىك قويۇقلۇق دەرىجىسى تۆۋەن بولغان داتلاشماس پولاتنىڭ داغ ئېرىتمىسىدە 50 \ (^ \ circ \) C لىك تېمپېراتۇرىدا بەش مىنۇت چىلانغان. \.(- <\) 5 \ (\% \) соответственно. (- <\) ئايرىم-ئايرىم ھالدا 5 \ (\% \).
(1) لازېر نۇرى ، (2) a \ (\ lambda \) / 2 تەخسە ، (3) مەلۇم ئوپتىكىلىق سەپلىمىسى بار DLIP بېشىنى ئۆز ئىچىگە ئالغان ئىككى نۇرلۇق DLIP گۇرۇپپىسىنىڭ تەجرىبە قۇرۇلمىسىنىڭ سىخېما دىئاگراممىسى. ) قىزىق تەخسە ، (5) ھالقىما سۇيۇقلۇق ، (6) x ، y ئورۇن بەلگىلەش قەدەملىرى ۋە (7) داتلاشماس پولات ئەۋرىشكىسى.سول تەرەپتىكى قىزىل رەڭدە ئايلانغان ئىككى ئۈستۈنكى ئۈستۈنكى لىم ئەۋرىشكە ئۈستىدە \ (2 \ theta \) بۇلۇڭىدا سىزىقلىق قۇرۇلما ھاسىل قىلىدۇ (s ۋە p قۇتۇپلىشىشنىمۇ ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ).
نۆۋەتتىكى تەتقىقاتتا ئىشلىتىلگەن ۋە / ياكى ئانالىز قىلىنغان سانلىق مەلۇماتلار مۇۋاپىق تەلەپكە ئاساسەن مۇناسىۋەتلىك ئاپتورلاردىن تەمىنلىنىدۇ.
يوللانغان ۋاقتى: 7-يانۋاردىن 20-يانۋارغىچە